Ce:YAG晶体具有优异机械和化学稳定性的快闪烁材料。Ce:YAG晶体闪烁探测器是电子成像、beta和X射线计数的优选材料,同时也被用作电子和X射线的成像屏。Ce:YAG晶体的优异的温度机械性能有利于制备出低于0.005mm厚度的超薄成像屏。在电子或者离子轰击下Ce:YAG晶体不产生损伤,适合应用于高电流环境。Ce:YAG晶体的发光峰位置位于560nm左右,很适合使用S20光电倍增管进行发射探测。在5KV之内以及超过100KV的更高加速电压下,Ce:YAG晶体比Planotec P47具有更好的响应,在该环境下粉末闪烁体性能开始下降,而Ce:YAG晶体的相应仍然保持线性增加。尽管Ce:YAG晶体的信号比P47弱,但是信噪比高,终端信号更好。Ce:YAG晶体的衰减时间为60ns。使用中为了避免光敏感,通常需要镀50nm的铝膜。Ce:YAG晶体,提拉法和温梯法生长,*大直径110mm,厚度0.15-150m |